[发明专利]NMOS电池反接保护无效
| 申请号： | 200610059540.2 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1832285A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | K·陈;D·唐 | 申请（专利权）人： | 通用汽车环球科技运作公司 |
| 主分类号： | H02H3/18 | 分类号： | H02H3/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种极性反接保护系统，包括一个电压源，该电压源包含正、负端。极性敏感装置具有与电压源的正端相连通的第一端子，并包括第二端子。低电阻开关与电压源的第一和第二端子相连通，并与极性敏感装置的第二端子相连通。低电阻开关在电压源正端的第一电压减去电压源负端的第二电压大于阈值电压时在极性敏感装置的第二端子和电压源的负端之间采取导通状态。否则，低电阻开关采取非导通状态。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 电池 反接 保护 | ||
【主权项】：
1、一种用于包括正负端的电压源的极性反接保护系统，包括：极性敏感装置，具有与电压源的正端相连通的第一端子，并包括第二端子；和低电阻开关，具有与电压源的正端相连通的第一端子，与电压源的负端相连通的第二端子，以及与所述极性敏感装置的所述第二端子相连通的第三端子，其中所述低电阻开关在电压源正端处的第一电压减去电压源负端处的第二电压大于第一阈值电压时，在其第二和第三端子之间采取导通状态，且其中所述低电阻开关在所述第一电压减去所述第二电压小于第二阈值电压时，在其第二和第三端子之间采取非导通状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用汽车环球科技运作公司，未经通用汽车环球科技运作公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610059540.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
