[发明专利]非易失存储器和其驱动方法无效
| 申请号： | 200610059507.X | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1832037A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 冨田泰弘 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C11/34;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了增加两位存储非易失存储器单元的编程状态对擦除状态的单元电流比和减小功耗，MONOS型存储器单元的编程状态是将电子注入接近漏极或源极结边缘的ONO膜的两个局部区域的状态，擦除状态是将注入接近漏极或源极结边缘的ONO膜的两个局部区域的电子中和或将空穴注入的状态，以及将读出偏置为线性区。因为注入到源极侧的电荷抑止了形成导电沟道所需的电子载流子的引入且注入到漏极侧的电荷限制了接近漏极侧形成导电沟道，所以可以抑止编程状态中的单元电流。因此，可以减小读电流，可以提高单元电流比，而且，可以增加读操作的容限。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储器 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失存储器的驱动方法，所述非易失存储器包括多个MONOS型存储器单元，每个存储器单元能够通过将电荷注入到接近漏极或源极结边缘的ONO膜的局部区域而存储两位信息；其中MONOS型存储器单元的编程状态是将电子注入到接近漏极或源极结边缘的ONO膜的两个局部区域的状态；擦除状态是将注入接近漏极或源极结边缘的ONO膜的两个局部区域的电子中和或将空穴注入的状态；以及将读偏压设置为用于将MONOS型存储器单元保持在线性区的值。
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