[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610059147.3 | 申请日： | 2006-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1848408A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 吉田浩泰 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：在硅衬底的厚栅绝缘膜形成区域中选择性地蚀刻氮化膜和热氧化膜，其中在所述硅衬底上，与氮化膜一起形成热氧化膜，所述氮化膜形成在热氧化膜上，以及其中在所述STI形成区域中形成具有预定深度的沟槽；通过CVD方法在沟槽和厚栅绝缘膜形成区域中嵌入CVD氧化膜；以及在除了STI形成区域和厚栅绝缘膜形成区域之外的区域中，使用所述氮化膜作为阻挡层通过CMP方法对CVD氧化膜进行平坦化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的栅形成区域的周围形成沟槽；在所述沟槽中嵌入绝缘体，以及同时在所述栅形成区域上形成所述绝缘体；通过去除所述绝缘体，在所述沟槽中形成器件隔离区，以及在栅形成区域上形成栅绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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