[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
| 申请号： | 200610059123.8 | 申请日： | 2006-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1841779A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 崔埈厚;高俊哲;崔凡洛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT、一种TFT阵列面板和制造TFT阵列面板的方法。制造TFT阵列面板的方法包括：在基板上形成彼此分开的第一电极和第二电极；在基板上形成包括非晶硅和多晶硅的硅层；通过构图硅层形成半导体；在半导体上形成栅极绝缘层；形成第三电极来与栅极绝缘层上的半导体重叠；在第三电极上形成钝化层；以及在钝化层上形成像素电极。因为TFT在TFT的沟道区包括多晶硅，所以TFT阵列面板具有高的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：形成于基板上且彼此分开的第一电极和第二电极；形成于所述第一和第二电极上且包括非晶硅和多晶硅的半导体；形成于所述半导体中的第一绝缘层；以及形成于所述第一绝缘层上且放置在所述半导体上的第三电极，其中所述半导体中所述多晶硅相对于所述非晶硅的比例在接近所述第三电极的所述半导体的第一表面最高。
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