[发明专利]自发光元件的制造方法和制造装置无效
| 申请号： | 200610058388.6 | 申请日： | 2006-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1828976A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 丹博树 | 申请（专利权）人： | 日本东北先锋公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在基板上直接或隔着其它层形成下部电极，在该下部电极上层叠成膜层之后形成上部电极的自发光元件的制造中，即使在下部电极上等的被成膜面上存在异物或凹凸的情况下，也不会形成成膜缺陷部。具备：成膜室(20)；基板保持单元(22)，把基板(1)保持在成膜室(20)内；压力调整气体流入路径(20A)，使压力调整气体(Gp)流入成膜室(20)内；以及原料气体产生部(21)，与压力调整气体流入路径(20A)分开地设置在成膜室(20)内，产生成膜材料的原料气体(Gm)，在使压力调整气体(Gp)流入成膜室(20)内的加压状态下，使下部或上部电极(2、4)、或者成膜层(3)的至少一层成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种自发光元件的制造方法，在基板上直接或隔着其它层形成下部电极，在该下部电极上层叠成膜层之后形成上部电极，其特征在于，在使前述下部或上部电极、或者前述成膜层的至少一层成膜的成膜工序中，把成膜室内设成加压状态，在该成膜室内设置成膜材料的原料气体产生部而进行成膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本东北先锋公司，未经日本东北先锋公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610058388.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：闸阀
- 下一篇：监测和控制薄膜处理的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
