[发明专利]将非晶硅结晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜

摘要

一种非晶硅激光结晶成多晶硅用之光刻掩膜，此光刻掩膜包括透明基板，其包括大小相等的第一区块、第二区块与第三区块。第二区块是位于第一区块与第三区块之间，其中第一区块包括多个第一透光区与多个第一遮蔽区，第一遮蔽区位于第一透光区之间。第二区块包括多个第二透光区与多个第二遮蔽区，其中第二遮蔽区是位于第二透光区之间，且第二遮蔽区与第一透光区相对，且第二透光区与第一遮蔽区相对。第三区块包括多个第三透光区与多个第三遮蔽区，其中第三透光区是设置于相对于第一透光区之中心处以及相对于第二透光区之中心处，且第三遮蔽区是位于第三透光区之间。

主权项

1.一种光刻掩膜，适用于非晶硅激光结晶成多晶硅之工艺，其特征是上述光刻掩膜包括：透明基板，包括大小相等的第一区块、第二区块与第三区块，其中上述第二区块是位于上述第一区块与上述第三区块之间：上述第一区块包括多个第一透光区与多个第一遮蔽区，上述多个第一遮蔽区位于上述多个第一透光区之间；上述第二区块包括多个第二透光区与多个第二遮蔽区，其中上述多个第二遮蔽区是位于上述多个第二透光区之间，且上述多个第二遮蔽区与上述第一透光区相对，且上述多个第二透光区之位置与第一遮蔽区相对；以及上述第三区块包括多个第三透光区与多个第三遮蔽区，其中上述多个第三透光区是设置于相对于上述多个第一透光区之中心处以及相对于上述第二透光区之中心处，且上述多个第三遮蔽区是位于上述多个第三透光区之间。