[发明专利]提供用于沟槽电容器阵列的掩埋板的结构和方法

摘要

在此提供一种结构，其包括至少具有布置在SOI衬底的掩埋氧化物层之下的部分的沟槽电容器阵列。各沟槽电容器共享一个公共单块电容器掩埋板，该公共单块电容器掩埋板包括布置在掩埋氧化物层之下的第一单块半导体区域的至少一部分。电容器掩埋板的上边界定义一个平行于衬底主表面的平面，其在整个沟槽电容器阵列上横向延伸。在具体实施方式中，其始于SOI或体衬底，同时形成阵列的沟槽和接触孔，使得该接触孔延伸到基本与沟槽相同的深度。接触孔优选具有基本大于沟槽的宽度，使得可通过用来形成沿沟槽壁延伸的沟槽电容器的处理，同时形成导电接触通路。

主权项

1.一种包含沟槽电容器阵列的结构，包括：绝缘体上半导体衬底，其包括绝缘体上半导体(“SOI”)层、在所述SOI层下面的掩埋氧化物(“BOX”)层、和在所述BOX层下面的掩埋半导体区域，所述掩埋半导体区域包括横向延伸的第一单块半导体区域；沟槽电容器的阵列，其至少具有布置在所述BOX层之下的部分，各沟槽电容器包括沿布置在所述第一单块半导体区域内的沟槽内壁延伸的节点电介质层，各沟槽电容器共享一个包括至少一部分所述第一单块半导体区域的公共单块电容器掩埋板，所述单块电容器掩埋板具有选自n型和p型的第一单导电类型，其中至少所述电容器掩埋板的上边界定义一个平面，该平面在整个所述阵列上横向延伸并且平行于所述衬底的主表面。