[发明专利]一种液晶显示器阵列基板的像素结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610057243.4 | 申请日： | 2006-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101034215A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 邱海军;王章涛;陈旭;闵泰烨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/136;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种液晶显示器阵列基板的像素结构，包括玻璃基板，形成于玻璃基板上的栅线，栅电极，数据线，源电极，漏电极，掺杂层，有源层，第一绝缘层，第二绝缘层，透明像素电极，钝化层，其特征在于：透明像素电极和栅线、栅电极之间有横向的隔断槽；透明像素电极和数据线、源电极之间有纵向的隔断槽。本发明同时也公开了制造该像素结构的方法。本发明适用于TFT的4mask工艺中有ITO直接沉积在源、漏电极上，并进行钝化层刻蚀的工艺中。在不增加现有工艺和设计成本的基础上，本发明可以提高生产的成品率，同时降低产品修复的数目，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 液晶显示器 阵列 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种液晶显示器阵列基板的像素结构，包括玻璃基板，形成于玻璃基板上的栅线，栅电极，数据线，源电极，漏电极，掺杂层，有源层，第一层绝缘层，第二层绝缘层，透明像素电极，钝化层，其特征在于：透明像素电极和栅线、栅电极之间有横向的隔断槽。
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