[发明专利]基片处理装置和基片容纳方法有效
| 申请号： | 200610057058.5 | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1838398A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 桥本胜行 | 申请（专利权）人： | 奥林巴斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈坚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于基片处理装置的基片容纳方法，包括：第一步骤，将从容纳盒中取出的基片通过输送装置输送至基片处理装置；第三步骤，在基片处理装置处理基片；第四步骤，在第三步骤后通过输送装置将基片送回容纳盒；第二步骤，从第一步骤开始到第四步骤之前，在输送装置处计算相对于基片标准位置的差量；以及第五步骤，在第三步骤之后第四步骤之前，调节基片在容纳盒中的返回位置。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 容纳 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于基片处理装置的基片容纳方法，包括：第一步骤，将从容纳盒中取出的基片通过输送单元输送至所述基片处理装置；第二步骤，在所述基片处理装置处理所述基片；第三步骤，在处理后通过所述输送单元从所述基片处理装置取出所述基片；第四步骤，在处理后通过所述输送单元将所述基片送回所述容纳盒；第一处理，从所述第一步骤开始到所述第四步骤之前的时间内，在所述输送单元处计算相对于基片标准位置的差量；以及第二处理，在所述第一处理之后且在所述第四步骤之前的时间内，根据计算的差量调节所述基片在所述容纳盒中的返回位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
