[发明专利]静电放电防护电路及其布局有效
| 申请号： | 200610056841.X | 申请日： | 2006-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1841873A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 吴宜勋;李建兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种静电放电防护电路及其布局，该静电放电防护电路，包括有硅控整流器及金属氧化物半导体晶体管。硅控整流器耦接在电路接合垫及地线之间，以在静电放电发生时，引开由电路接合垫流入的静电放电电流。金属氧化物半导体晶体管具有与硅控整流器共用的源极，并耦接于电路接合垫及地线之间，以在静电放电发生时，降低硅控整流器的触发电压。硅控整流器具有第一二极管，并与第二二极管反向串联，且第一、二二极管耦接于电路接合垫与金属氧化物半导体晶体管的源极之间，以执行双极晶体管的功能。在静电放电防护电路的布局中，用以放置第一、二二极管的第一区域位于至少两个分开且用来放置金属氧化物半导体晶体管的第二区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 防护 电路 及其 布局 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电防护电路，其特征在于，所述静电放电防护电路包括：一硅控整流器，耦接于一电路接合垫及一地线之间，上述硅控整流器用以在静电放电发生时，引开由上述电路接合垫流入的静电放电电流；以及至少一金属氧化物半导体晶体管，具有耦接至上述硅控整流器的一源极，上述金属氧化物半导体晶体管耦接于上述电路接合垫及上述地线之间，用以在静电发生时，降低上述硅控整流器的触发电压；其中上述硅控整流器具有反向串联的一第一二极管与一第二二极管，且上述串接的第一、第二二极管耦接于上述电路接合垫与上述金属氧化物半导体晶体管的源极之间，以执行一双极晶体管的功能；其中在一布局中，用以放置上述第一及第二二极管的第一区域位于至少两个分开的第二区域之间，而上述第二区域是用以放置上述金属氧化物半导体晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610056841.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：抛光用组合物及使用该组合物的抛光方法
