[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200610055040.1 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1828882A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 大隅贵寿;阪下靖之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件，在连接电极(5)往下的内部配置1个或多个加固用通路(7)或加固用金属层。由此，提高对安装半导体元件(3)时的负载的强度，抑制连接电极(5)沉陷，因而能使半导体器件的连接应力减小，抑制连接部形变，可增加工序设计自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，在衬底上将具有多个连接端子的1个或多个半导体元件安装成面朝下，所述衬底上具有电连接所述连接端子的、在所述衬底的一主面上形成的多个连接电极、在所述衬底的另一主面上形成的多个外部端子、将对应的所述连接端子和所述外部端子进行电连接的多个连接用通路、以及在衬底内部的所述连接用通路形成区以外的所述连接电极的下部区域形成的加固用通路。
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