[发明专利]制作高分辨率结构的图案化方法无效
| 申请号： | 200610054986.6 | 申请日： | 2006-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1832104A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李顺普;克里斯托·纽瑟姆;戴维·拉塞尔;托马斯·库格勒 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种图案化方法，包括：(i)预先图案化衬底上的一层材料，(ii)在预图案化的衬底上旋涂薄膜形成物质的溶液，(iii)干燥被旋涂的溶液以在衬底的未图案化区域和被预图案化的材料的表面和侧面上形成薄膜形成物质的薄膜，(iv)以这种方式蚀刻干燥后的薄膜：即仅保留在预图案化的材料的侧面周围，及(v)去除预图案化的材料以在衬底上留下脊状薄膜形成物质，脊的图案对应预图案化的材料的轮廓。然后在所得图案化衬底上沉积金属层，随后除去脊，剩下离散的金属区域，这些金属区域形成薄膜晶体管的潜在源极和漏极。然后通过选择性地沉积半导体、绝缘体和导体区而形成薄膜晶体管阵列，其中导体区形成了与每对源极和漏极相关的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 高分辨率 结构 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案化方法，包括以下步骤：(i)预先图案化衬底上的一层材料，(ii)在预图案化的衬底上旋涂薄膜形成物质的溶液，(iii)干燥被旋涂的溶液以在衬底的未图案化区域和预图案化的材料的表面和侧面上形成薄膜形成物质的薄膜，(iv)以这种方式蚀刻干燥后的薄膜：即仅保留在预图案化的材料的侧面周围，以及(v)去除预图案化的材料以在衬底上留下脊状的薄膜形成物质，脊的图案对应于预图案化的材料的轮廓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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