[发明专利]具有外部磁场产生器的存储器件及其操作和制造方法无效
| 申请号： | 200610051485.2 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1828768A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 金泰完;黄仁俊;郑元哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有磁场产生器的存储器件及其操作和制造方法。在所述器件和方法中，磁性存储器包括磁性隧穿结单元、晶体管和位线，且磁场产生器设置于所述磁性存储器之外以在平行于所述位线的方向产生朝向所述磁性存储器的全局磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外部 磁场 产生器 存储 器件 及其 操作 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器件，包括：包括磁性隧穿结单元、晶体管和位线的磁性存储器；以及设置于所述磁性存储器之外以在平行于所述位线的方向产生朝向所述磁性存储器的全局磁场的磁场产生器。
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