[发明专利]电磁双重屏蔽膜的溅射制备方法无效

专利信息
申请号: 200610049912.3 申请日: 2006-03-20
公开(公告)号: CN1818130A 公开(公告)日: 2006-08-16
发明(设计)人: 董树荣;王德苗;任高潮 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/20;C23C14/02;C23C14/54
代理公司: 杭州君易知识产权代理事务所 代理人: 陈向群
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于新型抗电磁干扰(EMI)屏蔽技术领域,特别是涉及一种电磁双重屏蔽膜的溅射制备方法,其制备工艺是选择特定成分奥氏体组织的镍铬类不锈钢靶材一对塑料表面清洗和活化一金属化溅射镀;所述金属化溅射镀采用的溅射靶为奥氏体的镍铬类双相不锈钢靶材;其直径为60毫米,铬和镍当量为(18,7),其标准金相组织是临近铁素体区的奥氏体;鉴于奥氏体是顺磁体,它具有较高的溅射成膜速率,通过溅射可以快速获得铁磁性的铁素体不锈钢薄膜,该薄膜具有磁屏蔽和电屏蔽效果,并且具有不锈钢材料良好的耐候性;本发明具有工艺设计合理、溅射成膜速度快、生产成本低廉等优点,它是一种较理想的电磁双重屏蔽膜的溅射制备方法。
搜索关键词: 电磁 双重 屏蔽 溅射 制备 方法
【主权项】:
1、电磁双重屏蔽膜的溅射制备方法,其制备工艺是选择特定成分奥氏体组织的镍铬类不锈钢靶材—对塑料表面清洗和活化—金属化溅射镀。
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