[发明专利]电磁双重屏蔽膜无效
| 申请号： | 200610049911.9 | 申请日： | 2006-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1819758A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;王德苗;任高潮 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;G12B17/02 |
| 代理公司： | 杭州君易知识产权代理事务所 | 代理人： | 陈向群 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于新型抗电磁干扰(EMI)屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁双重屏蔽膜，包括铁、铬、镍、钛锰、钴，其特征在于所述金属成分的百分含量为：Fe：30％～85％，Cr：5％～50％，Ni：1％～20％，Ti：1～10％；所述金属成分按照铬当量([Cr]＝Cr+Mo+0.015Si+0.005Ti)和镍当量([Ni]＝Ni+0.3C+0.005Mn)成分配比，计算的镍当量[Ni]小于24，铬当量大于16；由于本发明是采用奥氏体的镍铬类不锈钢作为溅射靶材，鉴于奥氏体是顺磁体，它具有较高的溅射成膜速率，通过溅射可以快速获得铁磁性的铁素体不锈钢薄膜，该薄膜具有磁屏蔽和电屏蔽效果，并且具有不锈钢材料良好的耐候性，它是一种镀覆于电子产品塑料外壳表面的理想金属膜之一。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 双重 屏蔽 | ||
【主权项】：
1、电磁双重屏蔽膜，包括铁、铬、镍、钛，其特征在于所述金属成分的百分含量为：Fe：30％～85％，Cr：5％～50％，Ni：1％～20％，Ti：1～10％。
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