[发明专利]钙铜钛镧氧介电陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 200610049584.7 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1807341A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 曹光旱;冯丽欣;焦正宽 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/46;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钙铜钛镧氧介电陶瓷的制备方法。提供纯度高于99％的碳酸钙，氧化铜，氧化钛和氧化镧；通式是Ca1－xLaxCu3Ti4O12表示，式中掺杂浓度x＝0～0.3；分别按照配比称量摩尔量的原料，进行研磨；在炉中煅烧粉末，煅烧温度为1223～1273K，自然降温到室温，得到单相的多晶粉末；在80～120MPa的压强下压片，然后在1323～1343K下烧结Ca1－xLaxCu3Ti4O12。本发明解决了钙铜钛氧作为一种可以用在动态存储、高介电电容和各种薄膜器件等微电子器件上的材料，虽然具有巨介电常数，但介电损耗过高的问题，使其在保持高介电常数的同时也降低了介电损耗，而且其介电常数不变的温区也通过本发明的方法被展宽，具有很大的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 钙铜钛镧氧介电 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种钙铜钛镧氧介电陶瓷的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)提供纯度高于99％的碳酸钙(CaCO3)，氧化铜(CuO)，氧化钛(TiO2)和氧化镧(La2O3)；通式是Ca1-xLaxCu3Ti4O12表示，式中掺杂浓度x＝0～0.3；(2)分别按照x＝0～0.3的陶瓷需要的配比称量摩尔量的原料，进行研磨；(3)在炉中煅烧粉末，煅烧时间为10～15小时，煅烧温度为1223～1273K，自然降温到室温；(4)重复研磨和步骤(3)2～3次，通过X射线衍射测量得到单相的多晶粉末；(5)将步骤(4)所制备单相的多晶粉末在80～120Mpa的压强下压片，然后在1323～1343K下烧结20-26小时得到Ca1-xLaxCu3Ti4O12，其中x＝0～0.3。
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