[发明专利]低生长束流下离子束溅射技术自组织生长Ge量子点的方法无效
| 申请号： | 200610048900.9 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1974838A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 杨宇;宋超;孔令德;张曙 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C23C14/54 |
| 代理公司： | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐玲菊 |
| 地址： | 650091云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低生长束流下离子束溅射技术自组织生长Ge量子点的方法，包括离子束真空溅射，并使用氩(Ar)气作为工作气体，其特征在于控制低生长束流为2mA～10mA，并在束流电压为0.2KV～1.5KV，溅射压强为1.0×10－2Pa～4.0×10－2Pa，生长温度为室温～400℃的条件下，在硅(Si)基底材料上溅射沉积Ge/Si多层膜，，得到岛状自组织生长的Ge量子点结构。有效解决了常规技术制备量子点材料存在的生产成本高、工艺复杂、不利于大规模生产等不足，获得密度大、尺寸均匀的量子点材料，其制备的量子点材料，是在价格低廉，可产业化生产的离子束溅射设备上进行的，这样不仅可降低量子点的生产成本，还可提高生产效率，是制备量子点的一种简易而高效的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 流下 离子束 溅射 技术 组织 ge 量子 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低生长束流下离子束溅射技术自组织生长Ge量子点的方法，包括离子束真空溅射，并使用氩(Ar)气作为工作气体，其特征在于控制低生长束流为2mA～10mA，并在束流电压为0.2KV～1.5KV，溅射压强为1.0×10-2Pa～4.0×10-2Pa，生长温度为室温～400℃的条件下，在硅(Si)基底材料上溅射沉积Ge/Si多层膜，得到岛状自组织生长的Ge量子点结构的薄膜材料。
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