[发明专利]一类氧化锗材料的液相沉积制备方法

摘要

本发明涉及一类氧化锗材料的液相沉积制备方法，属于材料制备技术领域。以氨水为络合剂，以水为溶剂，以加热搅拌方式促进了氧化锗在水中的溶解，经过滤处理后制得制备氧化锗基材料的优良先驱体。将该先驱体与其它溶液态或溶胶态物质按设定比例混合并经热处理就可得到各种形式的氧化锗类材料或氧化锗类掺杂材料。本发明原理简单、无需任何专门设备、原料普通、无潜在危险和毒性、反应条件温和可控、不仅能够低成本、高质量地合成氧化锗材料，而且也能够低成本地合成氧化锗基其它材料，如SiO₂－GeO₂，TiO₂－SiO₂－GeO₂，稀土元素掺杂GeO₂材料，GeO₂掺杂其它基体材料等等。

主权项

1.一类氧化锗材料的液相沉积制备方法，其特征在于：所述的制备方法包含以下制备步骤：(1)氨水稀释：将氨水与水混合，控制氨水与水的体积比为1∶200-1∶10，得到A液；(2)在加温和搅拌的条件下，将氧化锗粉体加入到A液中，控制：氧化锗与水的质量比为0-0.5，搅拌时间0.5-24小时，加热温度范围是25-100℃；将得到的液体过滤，收集滤液为B液；(3)向B液中加入水溶性高分子聚合物，并搅拌0.5-4小时，水溶性高分子聚合物的加入量为每40ml体积的B液中加入0-20mg聚合物，得到C液；(4)将C液作为浸涂液，采用浸渍提拉法在基片上镀膜，提拉速度0.01-25.00cm/min，将镀膜的基片在30-1500℃范围热处理，得到氧化锗薄膜材料。