[发明专利]扩散连接三元层状陶瓷铝碳化钛工艺无效
| 申请号： | 200610047487.4 | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101125759A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 李美栓;尹孝辉;周延春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B37/00 | 分类号： | C04B37/00;B32B18/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷连接技术，具体为一种三元层状陶瓷Ti3AlC2扩散连接新工艺。该工艺的特点是界面生成耐高温的Ti3Al(Si)C2固溶体，无脆性相生成，解决了三元层状陶瓷Ti3AlC2连接质量不高的技术问题。在待焊三元层状陶瓷Ti3AlC2表面溅射单质Si，其厚度在4－10μm之间，组成Ti3AlC2/Si/Ti3AlC2三明治结构。将试件置于热压炉内，在氩气保护下扩散连接。工艺条件如下：焊接温度为1300－1400℃、焊接压力为2－5MPa、焊接时间120－240min。利用本发明提供的方法得到的扩散焊接接头，界面没有新的反应相生成，避免新的脆性相对接头强度的影响，接头弯曲强度可达到Ti3AlC2陶瓷强度的80％，而且此强度可保持到1000℃，可以满足实际应用的需要，从而扩大了Ti3AlC2陶瓷的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 连接 三元 层状 陶瓷 碳化 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种扩散连接三元层状陶瓷铝碳化钛工艺，其特征在于包括下述工艺步骤：(1)以Si为中间层，上下两层为Ti3AlC2陶瓷，在热压炉内、氩气保护下，在温度为1300-1400℃、压力为2-5MPa下恒压保温120-240min，连接Ti3AlC2 陶瓷；(2)随炉冷却至1100-1200℃后卸载。
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