[发明专利]一种高强高导耐氧化的低银铜基合金及其制备无效
| 申请号： | 200610046286.2 | 申请日： | 2006-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101054654A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李洪锡 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22C45/00 | 分类号： | C22C45/00;C22C1/05;B22F9/04;B22F3/14;C22F1/08;H01B1/02 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种高强高导耐氧化的低银铜基合金，其特征在于：所述高强高导耐氧化的低银铜基合金由低银铜基合金粉与0.2～1.0％的金刚石粉和0.05～0.1％的石墨化的纳米碳纤维通过粉末冶金工艺方法制备；所述的低银铜合金粉含有0.08～0.12％的Ag，0.05～0.5％的Y、La、Ce或者混合稀土的一种或者它们几种的混合。本发明合金具有较高的强度、硬度，较强的抗裂纹和气孔的扩展性，同时也具有一定的抗熔焊能力，较好的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高强 高导耐 氧化 低银铜基 合金 及其 制备 | ||
【主权项】：
1、一种高强高导耐氧化的低银铜基合金，其特征在于：所述高强高导耐氧化的低银铜基合金由低银铜基合金粉与0.2～1.0％的金刚石粉和0.05～0.1％的石墨化的纳米碳纤维通过粉末冶金工艺方法制备；所述的低银铜合金粉含有0.08～0.12％的Ag，0.05～0.5％的Y、La、Ce或者混合稀土的一种或者它们几种的混合。
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