[发明专利]一种助熔剂生长磷酸铝晶体的方法

摘要

本发明提供了一种助熔剂生长磷酸铝晶体的方法，以碳酸锂和磷酸二氢铵作助熔剂，以氧化铝及磷酸二氢铵为原料，将各试剂称量混合均匀后放入育晶器中，在生长炉中加热熔融，恒温24小时以上，冷却至溶液饱和点温度之上10－20℃；在高于溶液饱和点温度10－20℃时，将籽晶引入生长炉，置液面上方预热后下入熔体中，开始熔化后，将温度降至饱和点以上1－2℃，同时以30转/每分钟的旋转速率，24小时后开始降温，降温速率为0.2－0.4℃/天至1－2℃/天；45－50天后生长结束，从溶液中提出晶体，以30℃/小时的降温速率降至200℃后，自然冷却至室温。本发明可以有效的消除AlPO₄晶体内部水的存在，提高晶体的压电性能。

主权项

1.一种助熔剂生长磷酸铝晶体的方法，其特征是：以碳酸锂和磷酸二氢铵作助熔剂，溶质浓度为10-50％，以2N-5N的氧化铝及磷酸二氢铵为原料，将磷酸二氢铵、氧化铝、碳酸锂、磷酸二氢铵按1∶2.25∶6.44∶15.5的重量比称量，混合均匀后放入育晶器中，在生长炉中加热升温至1000-1050℃熔融，恒温24小时以上，再冷却至溶液饱和点温度之上10-20℃，得到磷酸铝与助熔剂的混合熔体；在高于溶液饱和点温度10-20℃时，将籽晶引入生长炉，置液面上方预热后下入磷酸铝与助熔剂的混合熔体中，待籽晶开始熔化后，将温度降至饱和点以上1-2℃，同时以30转/每分钟的旋转速率，按照正转—停—反转的循环方式旋转，24小时后开始降温，降温速率由生长初期的0.2-0.4℃/天增加到后期的1-2℃/天；45-50天后生长结束，从溶液中提出晶体，以30℃/小时的降温速率降至200℃后，自然冷却至室温。