[发明专利]一种单次生长制备复合多量子阱结构的方法

摘要

本发明公开了一种单次生长制备复合多量子阱结构的方法，它涉及金属有机物化学气相淀积生长多量子阱结构的技术领域，其目的是为了解决现有技术存在的两次生长和键合工艺造成的原材料和设备资源的浪费。该制备方法的步骤为：采用蓝宝石、碳化硅或氧化锌材料作基板，在基板上制备成核层；在成核层上制备过渡层；在过渡层上制备半导体层；在半导体层上制备第一多量子阱层；在第一多量子阱层上制备第二多量子阱层，第二多量子阱层与第一多量子阱层之间，可具有一半导体隔离层。该方法可用于在一次生长过程中制备不同组份的多个In_xGa_1－xN/GaN多量子阱，并可进行复合波长量子阱的实验和生产。

主权项

1、一种单次生长制备复合多量子阱结构的方法，该制备方法的步骤如下：1)采用兰宝石、碳化硅或氧化锌材料作基板，在基板上制备成核层；2)在成核层上制备过渡层，过渡层可为氮化镓或氮化铝材料；3)在过渡层上制备半导体层，半导体层可为无意识掺杂型、导电型或绝缘型的氮化铝、氮化镓、氮化铟镓、氮化铝镓或氮化铝铟镓材料；4)在半导体层上制备第一多量子阱层；5)在第一多量子阱层上制备第二多量子阱层，第二多量子阱层和第一多量子阱层之间，可具有一半导体隔离层；6)重复采用以上过程的步骤5)，可以制备出具有两个以上不同特征波长的多量子阱结构的复杂结构。