[发明专利]一种硫化钐全息记录光学薄膜的制备方法

摘要

一种硫化钐全息记录光学薄膜的制备方法，在去离子水中通入Ar气除去水中的O₂，然后，将分析纯的氯化钐和硫代硫酸钠分别溶于通入Ar气后的去离子水中配制成浓度为0.05－0.1mol/L的溶液；将两种溶液按2∶1－1∶4的体积比混合，以铂丝为阳极，硅片为阴极置入上述混合溶液中，采用直流稳压稳流电源以2－9mA的电流和10－20V的电压电沉积0.5－3小时，同时以3.6％的稀盐酸溶液调节混合液的pH值为2.5－5.5；将硅片从溶液中取出，在去离子水中浸2遍，取出后在烘箱中20－40℃下烘干，即得到硫化钐薄膜。本发明通过控制溶液的pH值及调节Sm和S的浓度比的范围，从而制备出硫化钐薄膜。制备的薄膜表面比较平整，无需热处理即为晶相，可以制备出单一晶相的硫化钐薄膜。

主权项

1、一种硫化钐全息记录光学薄膜的制备方法，其特征在于：1)在去离子水中通入Ar气除去水中的O2，然后，将分析纯的氯化钐SmCl3·6H2O和硫代硫酸钠Na2S2O3·5H2O分别溶于通入Ar气后的去离子水中配制成浓度为0.05-0.1mol/L的溶液；2)将两种溶液按2∶1-1∶4的体积比混合，将硅片在超声波清洗器中用丙酮、乙醇进行清洗，再用去离子水冲洗干净，以铂丝为阳极，硅片为阴极置入上述混合溶液中，采用直流稳压稳流电源以2-9mA的电流和10-20V的电压电沉积0.5-3小时，同时以3.6％的稀盐酸溶液调节混合液的pH值为2.5-5.5；3)将硅片从溶液中取出，在去离子水中浸2遍，取出后在烘箱中20-40℃下烘干，即得到硫化钐薄膜。