[发明专利]采用时域瞬态电流检测压电谐振模式的电路及其方法无效

专利信息
申请号: 200610041901.0 申请日: 2006-03-09
公开(公告)号: CN1818683A 公开(公告)日: 2006-08-16
发明(设计)人: 姚熹;靳立;魏晓勇;冯玉军 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01R23/02 分类号: G01R23/02;G01R31/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 李郑建
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种时域瞬态电流检测压电谐振模式的电路及其方法,其电路包括数字可控电压源,限流电阻R1和大容量电容C,电阻R1与大容量电容C之间连接有N-MOSFET开关,N-MOSFET开关上还连接有驱动芯片、电阻R3,驱动芯片的一端与触发信号相连,电阻R2通过电阻R4与数字示波器相连,压电振子测量端设置在电阻R2和R3之间。通过阶跃电场对同一压电振子的不同谐振模式同时进行激发,用时域方法采集瞬态充、放电电流,采用傅立叶变换对该瞬态电流进行分析,得出不同压电谐振模式对应的谐振频率及其压电参数,具有测量电路简单,成本低廉的优点,同时可以对压电器件的非稳态响应进行直观观察。采用本发明也可以设计基于阶跃或者是方波脉冲的压电振子驱动电路。
搜索关键词: 采用 时域 瞬态 电流 检测 压电 谐振 模式 电路 及其 方法
【主权项】:
1.一种采用时域瞬态电流检测压电谐振模式的电路,其特征在于,该电路包括:一数字可控电压源,在该数字可控电压源上连接有限流电阻R1,限流电阻R1与大容量电容C相连,电阻R1与大容量电容C之间连接有N-MOSFET开关,N-MOSFET开关上还连接有驱动芯片IR2110、电阻R3,驱动芯片IR2110的一端与触发信号相连;电阻R3的一端与大容量电容C、电阻R2相连,电阻R2通过电阻R4与数字示波器相连,压电振子测量端设置在电阻R2和R3之间。
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