[发明专利]太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 200610040056.5 | 申请日： | 2006-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1845342A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 栾景飞;王艳锦;帖靖玺;张继彪;郑正;唐登勇;李培培;赵伟 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 太阳能电池，在衬底上设有电极和太阳能电池薄膜，太阳能电池的上表面设有电极，所述薄膜型太阳能电池含有块状或条状拼接的两或三组分薄膜材料，其构成是InTaO4/InVO4、InNbO4/InVO4或InNbO4/InVO4/InTaO4；并在每种薄膜材料上掺杂铝、镓、磷或砷原子，掺杂量为1～15×10－6原子。本发明特点是，太阳能电池的光电转换效率可以达到2.6％以上，成本明显下降。且薄膜型太阳能电池含有块状或条状拼接的两或三组分薄膜材料可以充分接受更宽范围的光谱，效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能电池，在衬底上设有电极和太阳能电池薄膜，太阳能电池的上表面设有电极，其特征是所述薄膜型太阳能电池含有块状或条状拼接的两或三组分薄膜材料，其构成是InTaO4/InVO4、InNbO4/InVO4或InNbO4/InVO4/InTaO4；并在每种薄膜材料上掺杂铝、镓、磷或砷原子，掺杂量为1～15×10-6原子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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