[发明专利]石英晶体镀膜电极设计方法有效
| 申请号： | 200610039591.9 | 申请日： | 2006-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1832341A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 梁生元;李冬强;王岩 | 申请（专利权）人： | 南京华联兴电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/13 | 分类号： | H03H9/13;H03H9/19;H03H3/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210028江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是石英晶体镀膜电极设计方法，其特征是在制造过程中，首先通过在石英晶片的两面镀上矩形的银或金导电膜，同时在石英晶片的侧面镀上50nm～250nm厚度的电极：其次通过导电胶连接电极部分和陶瓷基座，形成可以自由振动的振动子；再次经过隧道炉固化、蒸镀法或刻蚀法调频和封装，从而在电路中实现晶体谐振的功能。优点：在石英晶片的侧面镀上一定厚度的电极，连接对应的上下电极，从而摆脱对底面胶连接的依赖，即使没有面胶，产品也可以正常有效地工作。产品加工过程合格率大大提高。产品可靠性得到提升。本发明与传统镀膜电极设计方法相比，即使底胶和面胶完全不连接，也可保证晶体电气参数不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 石英 晶体 镀膜 电极 设计 方法 | ||
【主权项】：
1、石英晶体镀膜电极设计方法，其特征是一、通过在石英晶片的两面及侧面镀上矩形的银或金导电膜，石英晶片的侧面电极的厚度为50nm～300nm；二、通过导电胶连接电极部分和陶瓷基座，形成可以自由振动的振动子．
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