[发明专利]深紫外正性光刻胶及其成膜树脂无效
| 申请号: | 200610038787.6 | 申请日: | 2006-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN1818782A | 公开(公告)日: | 2006-08-16 |
| 发明(设计)人: | 冉瑞成;沈吉;庄学军 | 申请(专利权)人: | 苏州华飞微电子材料有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/033 | 分类号: | G03F7/033;G03F7/039;G03F7/004 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 马明渡 |
| 地址: | 215011江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 一种深紫外正性光刻胶及其成膜树脂,在一般以聚对羟基苯乙烯为基础的成膜树脂配方中引入了可以与之共聚合的含硅的丙烯酸酯类偶联剂,进行共聚合制备成一类新的成膜树脂。这种新的成膜树脂与光致酸、溶剂、以及其他添加剂组成光刻胶后,由于含硅丙烯酸酯类偶联剂单元的作用,增加了光刻胶与硅片之间的粘结性能。同时,也改善了抗干刻蚀的性能。即由于含硅的丙烯酸酯类偶联剂单元在成膜树脂中的存在,其硅片上的光刻胶胶膜在光刻过程中,在非曝光区,偶联剂中的Si-OR基团将减少胶膜在显影液中的溶解性,曝光区在光致酸形成的强酸作用下,偶联剂中Si-OR基团分解形成Si-OH而增加胶膜在碱性显影液中的溶解性,而这样就增加了曝光区与非曝光区对比度,而形成更加清晰的光刻图形。 | ||
| 搜索关键词: | 深紫 外正性 光刻 及其 树脂 | ||
【主权项】:
1、一种含硅偶联剂的共聚物成膜树脂,由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下,通过在溶剂中进行共聚合反应以及相应的后处理制备而成,其特征在于:共聚单体包括:(1)、含羟基苯乙烯单体 40%-90%重量;其化学通式:
式中:R=H、乙酰基或丙酰基;X=1-2;(2)、含硅丙烯酸酯类偶联剂 0.5%-20%重量;其化学通式:
式中:n=1-8;R1=H、CH3或CF3;R2=C1-C20烷基;R3=C1-C20烷基;R4=OH、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基;(3)、含酸敏基团单体 5%-60%重量;其化学通式:
或者
式中:R5=H、CH3或CF3;![]()
或![]()
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或
Rx=CH3或C2H5;所述共聚物成膜树脂的分子量为4000-100000,分子量分布为1.4-2.8。
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