[发明专利]一种钯纳米线有序阵列材料的制备方法无效
申请号: | 200610036639.0 | 申请日: | 2006-07-21 |
公开(公告)号: | CN1911782A | 公开(公告)日: | 2007-02-14 |
发明(设计)人: | 程发良;汪洪;张敏 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;C30B29/62 |
代理公司: | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 523106广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及钯纳米线领域,公开了一种钯纳米线有序阵列材料的制备方法。本发明以不活泼金属为聚合面,先用二次氧化法制备纳米氧化铝模板,装配在钛金属表面,再用直流电沉积制备钯纳米线。所制备的钯纳米线直径统一,排列有序,并且长度可由循环周次可控,很容易达到生产需要。本发明制备方法简单,无需溅射工艺,整个流程时间短,合成条件在常态下就可以进行,因此成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 有序 阵列 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种钯纳米线有序阵列材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)合成纳米氧化铝模板:a.将铝片先用70%高氯酸和无水乙醇混合液在温度0~5℃,电压15~22V下抛光5~10分钟;混合液中70%高氯酸和无水乙醇的体积比为1∶4;b.铝片用二次蒸馏水清洗后在多元酸及其对应的电压下氧化1~2小时;然后在60℃下以6%的磷酸和1.8%的铬酸混合洗液清洗铝片;c.铝片用二次蒸馏水清洗后,用与上述(b)步骤相同的电压进行阳极氧化;然后用氯化亚锡饱和水溶液剥离铝基质,再用5%磷酸通孔,得到纳米氧化铝模板,清洗并保存在二次蒸馏水中;(2)将不活泼金属片抛光成镜面,用强酸和强碱处理,然后用二次蒸馏水充分洗涤后,将纳米氧化铝模板紧密的装配在不活泼金属片上,浸入pH=8的0.1mol/L钯碱性电镀溶液,以0.7V电压,电沉积20分钟取出,用5%H3PO3浸泡,溶去模板后用二次蒸馏水洗涤后晾干。
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