[发明专利]双色铟镓砷红外探测器及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 200610034286.0 | 申请日： | 2006-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1848460A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;范广涵;郭志友 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 51063*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双色铟镓砷(InGaAs)红外探测器，是在铟磷((InP)衬底上依次生长有InXGa1－XAs材料的适合探测3－ 5μm红外线波的光导层、绝缘层，适合探测1－3μm红外线波的PIN结构的InGaAs材料层。所述的红外探测器的制备方法是用金属有机气相淀积技术在InP衬底上生长InGaAs材料，制备一种对1－3μm、3－5μm两个波段同时探测的红外外延片，再用该外延片制造两个波段的红外探测器。该红外探测器可以用于制备多方向测量红外信号器件。 | ||
| 搜索关键词： | 双色铟镓砷 红外探测器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1、一种双色铟镓砷(InGaAs)红外探测器，其特征在于在铟磷((InP)衬底上依次生长有InxGa1-xAs材料的适合探测3-5μm红外线波的光导层、绝缘层，适合探测1-3μm红外线波的PIN结构的InGaAs材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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