[发明专利]一种高比表面积纳米二氧化硅的制备方法无效
| 申请号： | 200610032493.2 | 申请日： | 2006-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101172608A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 宋晓岚;江楠;邱冠周;李宇焜;杨华明;金胜明;徐大余 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;C01B33/142 |
| 代理公司： | 中南大学专利中心 | 代理人： | 胡燕瑜 |
| 地址： | 410083*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种高比表面积纳米SiO2的制备方法，采用工业硅酸钠为原料，配制成浓度为0.1～0.8mol/L的硅酸钠溶液，加入3％～20％的十六烷基三甲基溴化氨，缓慢滴加浓度为0.5～1.5mol/L酸化剂溶液，直至pH值为4～10，匀速搅拌，10～80℃下反应10～60min，生成前驱体沉淀；抽滤，去离子水洗涤，干燥，将所得产物300～1000℃条件下焙烧0.5～5h，得到纳米SiO2成品。本发明所制得的SiO2颗粒比表面积达700～1200m2/g，且工艺简单易行、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面积 纳米 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高比表面积纳米二氧化硅的制备方法，依次由以下步骤组成：(1)在浓度为0.1～0.8mol/L的硅酸钠溶液中，加入相对于硅酸钠质量3％～20％的十六烷基三甲基溴化氨，超声分散，缓慢滴入浓度为0.5～1.5mol/L的酸化剂溶液，直到混合液pH值达到4～10，匀速搅拌，10～80℃下反应10～60min，生成前驱体沉淀；(2)真空过滤前驱体沉淀，用去离子水洗涤，干燥；(3)将所得产物在300～1000℃条件下焙烧0.5～5h，得到纳米SiO2。
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