[发明专利]β-Ga2O3纳米线及其气体传感器的制备和实现快速响应的气体传感方法无效
申请号: | 200610032169.0 | 申请日: | 2006-09-01 |
公开(公告)号: | CN101135659A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 王太宏;丰平;张杰;万青;许春梅;薛欣宇;刘永刚;虞红春 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 马强 |
地址: | 4100*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种β-Ga2O3纳米线及其气体传感器的制备和实现快速响应的气体传感方法。纳米线制备是:在硅衬底上沉积金膜;将镓颗粒放入舟中,衬底放在距舟适当处,加热、保温;加热炉内通氮气;炉冷却到室温后,产物在衬底上生成;传感器制备是:一定厚度金电极沉积到有SiO2层的硅衬底上,两电极距离约1μm;将单根纳米线放到电极上;引线连接,再经老化处理。传感器的快速氧气响应:开始时,纳米线中自由载流子浓度很低,通过氧调节其电导非常弱,在紫外光光照下,通过纳米线的电流增加到一定值,短时间反映了氧气浓度;光照关闭后,光生载流子迅速再结合,光驱动氧气传感特性消失。传感器响应时间快、灵敏度高,适合于规模化的工业生产。 | ||
搜索关键词: | ga sub 纳米 及其 气体 传感器 制备 实现 快速 响应 传感 方法 | ||
【主权项】:
1.一种β-Ga2O3纳米线的制备方法,其特征是,该方法为:(1)将1纳米-1微米厚的金膜沉积在基片衬底上;(2)将镓金属颗粒放入矾土舟中,衬底放在距离舟0.8厘米-1.2厘米处,使之按下述条件一同加热、保温;(3)将矾土舟放入石英管中,再将石英管放入管式炉中,然后将管式炉加热到970℃-990℃,保持0.9-1.1小时;(4)加热炉内通入380sccm-420sccm(毫升/分钟)的氮气;(5)在管式炉冷却到室温后,产物-β-Ga2O3纳米线在基片衬底上生成;
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