[发明专利]一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法

摘要

本发明公开了一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法，包括晶闸管的芯片准备(1)、测试(12)和封装(14)，在测试(12)之前进行的步骤是，掩膜挡片和封装垫片制作(2)，掩膜挡片安装(3)，对准掩膜图形进行芯片安装(4)，第一次蒸发(5)，取下掩膜挡片和芯片(6)，再一次进行芯片安装(7)，第二次蒸发(8)，常规工艺退火(9)，刻蚀(10)，台面造型与保护(11)，在封装(14)之前，进行防止电迁移的封装垫片安装(13)。本发明采用掩膜、蒸发和光刻技术相结合的工艺方法，不需要粘贴阴极导电片就实现了门极、放大门极与阴极的隔离，有效地防止器件在其后的测试封装过程中受到损伤。适合晶闸管制造商或生产企业采用。

主权项

1.一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法，包括晶闸管的芯片准备(1)、测试(12)和封装(14)，其特征在于：在测试(12)之前进行的步骤是，掩膜挡片和封装垫片制作(2)，掩膜挡片安装(3)，对准掩膜图形进行芯片安装(4)，第一次蒸发(5)，取下掩膜挡片和芯片(6)，再一次进行芯片安装(7)，第二次蒸发(8)，常规工艺退火(9)，刻蚀(10)，台面造型与保护(11)；在封装(14)之前，进行封装垫片安装(13)。