[发明专利]可调谐分布反馈量子级联激光器的波导与光栅的结构及所述光栅的制备方法

摘要

本发明涉及一种旨在获得低阈值电流密度、高边模抑制比的可调谐分布反馈量子级联激光器的波导和光栅结构，并发明了实现设计结构要求的激光器一级光栅的制备方法。所述的激光器波导与光栅结构是一种利用一个深的一级光栅和一个在光栅下方的薄的重掺杂半导体层构成波导中的限制结构。所述的光栅腐蚀技术是利用InGaAs/InP结构作为光栅的腐蚀牺牲层，选择不同的腐蚀液配比，获得深度大范围可调，精度可控的光栅结构。

主权项

1、一种可调谐分布反馈量子级联激光器的波导与光栅的结构，其特征在于所述的分布反馈量子级联激光器的波导与光栅结构为：在n型InP衬底上依次为InGaAs下波导层、InGaAs/AlInAs有源区、InGaAs上波导层中等掺杂InP限制层、重掺杂n型重掺杂InP限制层和InGaAs帽层；n型重掺杂InP限制层和InGaAs帽层为光栅的腐蚀层，控制重掺杂InP层的厚度以及光栅腐蚀的深度，使得一级光栅的深度≥0.5μm，光栅沟槽下方未被腐蚀的InP重掺杂层为0.1μm，掺杂浓度以及各层厚度应视激光器具体波长，结合波导理论的数值计算而定。