[发明专利]控制CMP膜厚面内均一性的方法

摘要

本发明公开了一种控制CMP膜厚面内均一性的方法，在原来仅利用光片研磨速率的大小和均一性进行控制的基础上，增加对产品前膜的range以及光片研磨速率的倾向管理，根据收集的前膜range、研磨速率倾向参数和残膜range的数据分析残膜range与前膜range和研磨速率倾向参数的关系，按此关系，根据前膜range的大小，选择倾向参数CER合适的机台进行CMP作业。本发明可以有效把残膜的range控制在规格以内。

主权项

1.一种控制CMP膜厚面内均一性的方法，其特征是，包括以下步骤：步骤一，获取前膜面内间差数据，在第一次产品测试前，首先对前膜进行直径方向扫描的曲线的测量，通过对曲线的分析确定出能反映产品面内间差特征的多个在线测试点位置；然后在在线测试前膜均值的同时，测试多点最大值与最小值的差别，获得前膜的面内间差；步骤二，获取研磨速率倾向参数，用光片作研磨速率进行监控，每种膜质的光片第一次进行监控时，先对该膜质的研磨速率进行直径方向扫描的曲线的测量和分析，确定出能反映研磨速率倾向的测试点；然后在在线测试获得速率均值和均一性的同时，通过计算获得此时研磨速率的倾向参数，研磨速率倾向参数定义为硅片在中心区域的研磨速率和边缘某个区域研磨速率的比值；步骤三，获得残膜厚度的均值和面内间差，新产品第一次残膜测试时，增加对残膜进行直径方向扫描的曲线的测量，分析确定出能反映产品曲线的测试点位置；之后与以往测试一样获得残膜厚度的均值和面内间差；步骤四，选择倾向参数合适的机台进行CMP作业，根据收集的前膜面内间差、研磨速率倾向参数和残膜面内间差的数据分析残膜面内间差与前膜面内间差和研磨速率倾向参数的关系；从上述关系进一步制定出利用产品前膜的面内间差以及光片研磨速率的倾向参数进行残膜面内间差控制的具体方案，即，根据前膜面内间差的大小，选择具有可以把残膜的面内间差控制在规格以内的倾向参数的机台进行CMP作业。