[发明专利]一种新型的沟槽结构相变存储器

摘要

本发明属微电子技术领域，具体为一种相变存储器件中新的沟槽结构存储单元。该结构的基本特征是：相变材料分布于沟槽侧壁，不同存储单元共用沟槽底部的下电极和与选通管连通的同一个选通管。它利用相变材料自身的厚度来控制接触面积，在一个方向上突破光刻条件的限制达到纳米尺度。本发明的存储器结构可降低操作电流，并可在不占用额外硅片面积的情况下提高存储密度，降低生产成本。

主权项

1、一种沟槽结构相变存储器，其特征是：相变材料分布于沟槽侧壁，沟槽下方是用作下电极的金属塞，金属塞与存储单元选通管相连，不同存储单元共用位于沟槽底部的下电极和与下电极连通的选通管；沟槽侧壁上方为上电极，上电极尺寸通过光刻条件控制；单个存储单元的相变作用面积由相变材料的厚度和上电极的宽度决定。