[发明专利]红外－近红外波长上转换探测器有效
| 申请号： | 200610028489.9 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1873392A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;刘昭麟;甄红楼;李宁;李志锋;陈平平;张波;陈效双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01N21/25 | 分类号： | G01N21/25;G01J1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种将InAs多量子点红外探测器和发光二极管串联集成在同一块芯片上的红外－近红外波长上转换探测器。所说的多量子点红外探测器是由交替生长10个周期的InAs/InyGa1－yAs/GaAs组成；所说的单量子阱发光二极管由GaAs势垒层和InzGa1－zAs有源势阱层组成。本发明的优点是能实现偏压下正入射辐射的长波热红外向容易被CCD相机成像的近红外光的转换，无需制作光栅，简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料的制备工艺成熟，材料的均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 波长 转换 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种红外一近红外波长上转换探测器，包括：GaAs衬底(1)，其特征在于：在GaAs衬底上依次排列生长下电极层(2)、本征GaAs间隔层(3)、InAs多量子点红外探测器(4)、本征GaAs间隔层(5)、单量子阱发光二极管(6)、本征AlxGa1-xAs渐变势垒层(7)、掺杂AlxGa1-xAs过渡层(8)、渐变AlxGa1-xAs过渡层(9)、上电极层(10)；
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