[发明专利]一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200610027340.9 申请日: 2006-06-07
公开(公告)号: CN1888105A 公开(公告)日: 2007-01-03
发明(设计)人: 陈立东;赵雪盈;柏胜强;史迅 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C22C12/00 分类号: C22C12/00;C22C1/03;C22C1/05;B22F9/04;B22F3/105
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种填充方钴矿基热电复合材料及其制备方法,属于热电材料领域。该材料的组成式为IyA4B12/zIOx,I为Yb或Eu或Ce或La或Nd或Ca或Sr中的一种,A为Sb或者Sb和Ge或Sn或Te或Se中一种的混合,B为Co或者Co和Fe或Ni中一种的混合,y为I元素的实际填充量,y+z=m,m大于填充方钴矿原子的填充极限。该材料采用先采用熔融法合成块体材料,即按I∶Co∶Sb=m∶4∶12摩尔比配料后,封入密闭的石英管中。将原料加热至熔融状态,经过充分化学反应并冷却后,获得块体材料,再用机械粉碎并研磨成粉末。然后将上述粉末用脉冲直流通电快速烧结成致密的块体。该材料在降低晶格热导率同时不影响材料的电传输性能,从而提高材料的热电转换性能。
搜索关键词: 一种 填充 方钴矿基 热电 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种填充方钴矿基热电复合材料,其特征在于其组成式为IyA4B12/zIOx,I为Yb或Eu或Ce或La或Nd或Ca或Sr中的一种,A为Sb或者Sb和Ge或Sn或Te或Se中一种的混合,B为Co或者Co和Fe或Ni中一种的混合,y为I元素的实际填充量,y+z=m,m大于填充方钴矿原子的填充极限。
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