[发明专利]镱铒共掺的硅酸钆激光晶体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610025642.2 申请日: 2006-04-12
公开(公告)号: CN1865538A 公开(公告)日: 2006-11-22
发明(设计)人: 徐军;赵广军;徐晓东;严成锋;宗艳花;徐文伟 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: C30B29/34 分类号: C30B29/34
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张泽纯
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种镱铒共掺的硅酸钆激光晶体及其制备方法,该激光单晶的结构式为Ybx,Ery:Gd2SiO5,其中x的取值范围为0.01~0.5;y的取值范围为0.001~0.15。该晶体采用采用熔体法生长。所获得的晶体经测试表明:该Yb,Er:Gd2SiO5晶体具有高的声子能量(1000cm-1),大的晶体场分裂,1.55μm波段的发射截面较大(0.86×10-20cm-1)、荧光寿命较长(7ms),Yb3+到Er3+的能量传递高、热导率高(约4~5W/mK),等优点,且容易生长出大尺寸单晶,可以提高硅酸钆激光晶体中Er3+的发光寿命,有利于提高Er3+的发光效率。
搜索关键词: 镱铒共掺 硅酸 激光 晶体 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种Yb,Er:Gd2SiO5激光单晶,其特征在于该激光单晶的结构式为Ybx,Ery:Gd2SiO5,其中x的取值范围为0.01~0.5;y的取值范围为0.001~0.15。
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