[发明专利]镱铒共掺的硅酸钆激光晶体及其制备方法无效
| 申请号: | 200610025642.2 | 申请日: | 2006-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN1865538A | 公开(公告)日: | 2006-11-22 |
| 发明(设计)人: | 徐军;赵广军;徐晓东;严成锋;宗艳花;徐文伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号: | C30B29/34 | 分类号: | C30B29/34 |
| 代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
| 地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 一种镱铒共掺的硅酸钆激光晶体及其制备方法,该激光单晶的结构式为Ybx,Ery:Gd2SiO5,其中x的取值范围为0.01~0.5;y的取值范围为0.001~0.15。该晶体采用采用熔体法生长。所获得的晶体经测试表明:该Yb,Er:Gd2SiO5晶体具有高的声子能量(1000cm-1),大的晶体场分裂,1.55μm波段的发射截面较大(0.86×10-20cm-1)、荧光寿命较长(7ms),Yb3+到Er3+的能量传递高、热导率高(约4~5W/mK),等优点,且容易生长出大尺寸单晶,可以提高硅酸钆激光晶体中Er3+的发光寿命,有利于提高Er3+的发光效率。 | ||
| 搜索关键词: | 镱铒共掺 硅酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种Yb,Er:Gd2SiO5激光单晶,其特征在于该激光单晶的结构式为Ybx,Ery:Gd2SiO5,其中x的取值范围为0.01~0.5;y的取值范围为0.001~0.15。
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