[发明专利]一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种采用化学气相沉积在低温下制备氮化硅(SiN_x)薄膜的方法，属于半导体薄膜领域。其特点是以NH₃为N源，以通式为(R₁R₂N)_nSi(R₃) _4－n的有机硅源前驱体为Si源(其中R₁，R₂＝H，CH₃，C₂H₅，C₃H₇，C₄H₉；R₃＝H，Cl；n＝2，3，4)，在优化的工艺条件下，通过低压化学气相沉积工艺，可以在较低的反应温度下制备出均匀、低H和C含量、近化学计量的SiN_x薄膜。本发明所制备的SiN_x (X＝1.28－1.33)薄膜可用于半导体工业以及硅基太阳能电池。

主权项

1、一种低温化学气相沉积制备SiNx薄膜的方法，采用附有低压系统的热壁型管式扩散炉，其特征在于以NH3为N源，以(R1R2N)nSi(R3)4-n的有机硅前驱体为Si源，式中R1，R2＝H、CH3、C2H5、C3H7、或C4H9，R3为H或Cl，n＝2，3或4，以N2、H2、Ar和He中一种作为载气；在20-300pa工作总压力下，基片温度为600-900℃条件下，在Si基片表面制备近化学剂量的SiNx薄膜。