[发明专利]自组装ZnO阵列的水热法生长方法无效
| 申请号： | 200610025353.2 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1865526A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李抒智;周圣明;刘红霞;杭寅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/16 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种自组装ZnO纳米阵列的水热法生长方法，其特征是：采用提拉法制膜的方法将溶胶在衬底上制备一层纳米级ZnO薄膜，在水热容器中将衬底生长面悬空朝下放置，再利用水热法在150～200℃下，在所述的衬底上制备ZnO纳米阵列。本发明在利用简单且高效的方法制备出自组装的ZnO阵列，该阵列在制备紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。 | ||
| 搜索关键词： | 组装 zno 阵列 水热法 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自组装ZnO纳米阵列的水热法生长方法，其特征是：采用提拉法制膜的方法将溶胶在衬底上制备一层纳米级ZnO薄膜，在水热容器中将衬底生长面悬空朝下放置，再利用水热法在150～200℃下，在所述的衬底上制备ZnO纳米阵列。
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