[发明专利]一类用于p型透明导体的黄铜矿型材料及制备方法有效
| 申请号： | 200610025073.1 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1825500A | 公开（公告）日： | 2006-08-30 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;刘敏玲;吴历斌;陈立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01B1/02 | 分类号： | H01B1/02;C30B29/02;C30B29/00;H01B13/00;C22C9/00;C22C1/10 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一类可用于p型透明导体的黄铜矿结构类型化合物ABQ2 (A＝Cu、Ag；B＝Al、Ga、In；Q＝S、Se、Te)及其制备方法。确切地说，ABQ2属四方晶系，空间群为I4－2d(No.122)，可以看成是变形的闪锌矿超晶格结构，有序的四面体阵列是由略微扁平的AQ4和未变形的BQ4组成，其独特的结构决定了这类材料具有可观的透光性能和导电性能。本发明的材料可应用于p型透明导体及相关应用。本发明的设计思路独特，原料廉价易得，制备工艺简单，材料的导电性能优越，并具有可见光区高的透明度，是一种理想的p型透明导体候选材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一类 用于 透明 导体 黄铜矿 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一类用于p型透明导体的黄铜矿型材料，其特征在于所述材料的化学组成通式为ABQ2，式中A＝Cu或Ag；B＝Al、Ga或In；Q＝S、Se或Te，属四方晶系。
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