[发明专利]一种多孔聚合物压电驻极体薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610025009.3 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1845353A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 张晓青;夏钟福 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L41/26 | 分类号： | H01L41/26 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属功能材料技术领域，具体为一种多孔聚合物压电驻极体薄膜的制备方法。该方法包括多孔聚合物薄膜的制备和充电两个部分，其中，多孔聚合物薄膜的制备过程为：将不同熔点的聚合物薄膜层叠成为复合膜系，在膜的一面或两面设置栅网，然后在一定温度下施压，压力为1MPa－10MPa，时间为2－120分钟。然后对复合膜系进行充电，充电方式可以采用电晕充电、接触式充电或电子束充电。本发明方法工艺简单，能获得高热稳定性和高电压活性的多孔聚合物压电驻极体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 聚合物 压电 驻极体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多孔聚合物压电驻极体薄膜的制备方法，包括多孔聚合物薄膜的制备和对该薄膜进行充电两个部分，其特征在于多孔聚合物薄膜的制备过程如下：将一种、或两种、或两种以上不同熔点的聚合物薄膜层叠成为复合膜系，并在薄膜的一面或两面放置栅网，然后在高于或等于薄膜1熔点，低于或等于薄膜2熔点的温区内的一定值T下向复合膜系施加压力P，经过时间t形成多孔膜，P的范围是1kPa-10MPa，t的范围是2min-120min；这里，薄膜1为聚合物薄膜中最低熔点的薄膜，薄膜2为聚合物薄膜中最高熔点的薄膜；所述聚合物为PTFE、FEP、COC、PET、PI、PE、PEN或PP。
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