[发明专利]单晶硅片表面氨基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610024981.9 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1830859A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 程先华;顾勤林;白涛;蒋喆 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C03C17/42 | 分类号： | C03C17/42;C03C17/30 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 毛翠莹 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅片表面氨基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法，首先将表面经过纳米氧化铈抛光的单晶硅片浸泡在王水中，在120℃下加热5～6个小时，再用去离子水反复冲洗并干燥。将处理后的单晶硅片浸入配制好的氨基硅烷溶液中，静置12小时，取出后分别用无水甲醇、去离子水冲洗，用氮气吹干后再置于由乙醇65～80％，稀土化合物3.5～7％，乙二胺四乙酸1～4％，氯化铵2～5％，尿素10～25％，37％的浓盐酸0.5～1.5％配制的稀土自组装溶液中，获得氨基硅烷－稀土纳米薄膜。本发明工艺简单，成本低，对环境无污染，制得的稀土纳米薄膜分布均匀，成膜致密，具有明显的减摩作用和良好的抗磨损和抗粘着性能。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 表面 氨基 硅烷 稀土 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单晶硅片表面氨基硅烷—稀土纳米薄膜的制备方法，其特征在于首先将表面经过纳米氧化铈抛光的单晶硅片浸泡在王水中，使用电炉加热王水，在120℃下加热5～6个小时，在室温中自然冷却7～8小时，将单晶硅片取出，用去离子水反复冲洗，放入干燥皿中干燥，将处理后的单晶硅片浸入配制好的氨基硅烷溶液中，静置12小时，取出后分别用无水甲醇、去离子水冲洗，然后用氮气吹干置于配制好的稀土自组装溶液中，在80℃下进行组装12小时，即获得氨基硅烷—稀土纳米薄膜；其中，所述氨基硅烷溶液中氨基硅烷的体积百分比为0.5～2％，溶剂为无水甲醇；所述稀土自组装溶液的组分重量百分比为：乙醇65～80％，稀土化合物3.5～7％，乙二胺四乙酸1～4％，氯化铵2～5％，尿素10～25％，37％的浓盐酸0.5～1.5％。
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