[发明专利]非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法无效
| 申请号： | 200610024952.2 | 申请日： | 2006-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1844492A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 吴锋;夏长泰;徐军;裴广庆;张俊刚;吴永庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法，所述的非化学计量比镁铝尖晶石单晶体的结构式为MgO·(Al2O3) n，其中n＝1.3，1.5，2.0，2.3，2.5，2.7，3.0，3.5，4.5，5.0，其制备方法如下：(1)根据选定的n值，配比相应的MgO和Al2O3原料；(2)在中性气氛下烧结原料；(3)中性气氛下，用中频感应加热单晶炉用提拉法生长出晶体。选择适当的n值，晶体可形成不同的光学效应和作为不同的材料用途，尤其在n＝3尖晶石同GaN材料之间的晶格失配小，易于加工，可以形成高质量的GaN衬底材料。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 计量 尖晶石 单晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法，其特征是：所述的非化学计量比镁铝尖晶石单晶体的结构式为MgO·(Al2O3)n，其中n＝1.3，1.5，2.0，2.3，2.5，2.7，3.0，3.5，4.5，5.0，其制备方法如下：(1)根据选定的n值，配比相应的MgO和Al2O3原料；(2)在中性气氛下烧结原料；(3)中性气氛下，用中频感应加热单晶炉用提拉法生长出晶体。
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