[发明专利]532纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅无效
| 申请号： | 200610024950.3 | 申请日： | 2006-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1821817A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 周常河;王博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种532纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅，该光栅的周期为395－412纳米、刻蚀深度为1.580－1.630微米，光栅的占空比为1/2。其TE偏振光和TM偏振光分别在0级和1级透射，该偏振分束光栅的消光比大于100，TE偏振光的0级透射衍射效率和TM偏振光的1级透射衍射效率分别高于95.42％和96.10％，特别是光栅周期为404纳米，刻蚀深度为1.605微米时，消光比达到1.01×104，TE偏振光0级透射衍射效率为97.13％，TM偏振光1级透射衍射效率为97.77％；本发明制作偏振分束器，具有很高的消光比和透射效率，不必镀金属膜或介质膜，利用全息光栅记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺，可以大批量、低成本地生产，刻蚀后的光栅性能稳定、可靠，是偏振分束器的一种重要的实现技术。 | ||
| 搜索关键词： | 532 纳米 波长 高密度 深刻 石英 透射 偏振 光栅 | ||
【主权项】：
1、一种532纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅，其特征在于该光栅的周期为395-412纳米、刻蚀深度为1.580-1.630微米，光栅的占空比为1/2。
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