[发明专利]非晶硅－晶体硅异质结太阳电池

摘要

本发明公开了一种非晶硅－晶体硅异质结太阳电池的结构，在太阳电池受光面电极与N型硅扩散层间还包括有一层非晶硅薄膜层；该非晶硅薄膜层与N型硅扩散层形成异质高低结结构。本发明利用不同性质半导体材料不同的光吸收特性和半导体异质结带来的二维电子气效应，达到了比普通的晶体硅太阳电池更高光电转换效率；比普通非晶硅太阳电池更好的长期使用稳定性和更高的光电转换效率；以及比单纯的非晶硅－单晶硅异质结太阳电池具有更低的串联电阻，更易于得到较高的光电转换效率。

主权项

1、一种非晶硅—晶体硅异质结太阳电池，包括依顺序叠层结合的受光面电极、N型硅扩散层、P型硅衬底层和背电极；其特征在于，在受光面电极与N型硅扩散层间还包括有一层非晶硅薄膜层，该非晶硅薄膜层与N型硅扩散层形成异质高低结结构。