[发明专利]单靶磁控溅射Cu1－xCrx合金薄膜的方法无效
| 申请号： | 200610024078.2 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1807675A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 王新建;姜传海;洪波;王家敏;吴建生 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种薄膜技术领域的单靶磁控溅射Cu1－xCrx合金薄膜的方法。本发明首先把铜板加工成溅射仪要求的铜靶，并按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻不同数量和不同直径的圆形或者锥形小孔，并附加以靶材的挡片，同时将铬金属加工成相应尺寸和形状的小棒，并使其与小孔达到紧密配合，铜挡片、靶材和基底经过清洗后先后装入溅射仪，选择溅射功率，调整溅射靶位和溅射参数，制备铜铬合金膜，所述的Cu1－xCrx，x＝1.19～2.37，x为原子百分比。本发明具有能够节省原材料，提高薄膜纯度的特点。且制备工艺简单，能够随时调节合金含量，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 cu sub cr 合金 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单靶磁控溅射Cu1-xCrx合金薄膜的方法，其特征在于，首先把铜板加工成符合溅射仪要求的铜靶，按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻出圆形或者锥形小孔，并附加以靶材的挡片，同时将铬金属加工成相应尺寸和形状的小棒，并使其与小孔达到紧密配合，铜挡片、靶材和基底经过清洗后先后装入溅射仪，选择溅射功率，制备铜铬合金膜，所述的Cu1-xCrx，x＝1.19～2.37，x为原子百分比。
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