[发明专利]带金属凸点阵列结构的倒装发光二极管及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200610023463.5 申请日: 2006-01-19
公开(公告)号: CN101005107A 公开(公告)日: 2007-07-25
发明(设计)人: 江忠永 申请(专利权)人: 杭州士兰明芯科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈亮
地址: 310018浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种带金属凸点阵列结构的倒装发光二极管的制作方法,包括提供一散热基板和具有p、n电极的LED芯片,还包括:在LED芯片的p电极和n电极上形成金属凸点阵列;在散热基板上分别形成电气绝缘的p电极金属层和n电极金属层;将LED芯片的p电极和n电极分别与散热基板上的p电极金属层、n电极金属层对应,两部分通过金属凸点阵列进行键合,并对相接触的金属凸点阵列加压、加超声、加热。本发明还包括带金属凸点阵列结构的倒装发光二极管,其组成为:散热基板,包括电气绝缘的n电极金属层和p电极金属层,位于基板之上;LED芯片,包括电气绝缘的n电极和p电极;金属凸点阵列,设置在LED芯片的n电极与散热基板上的n电极金属层,p电极与p电极金属层之间。
搜索关键词: 金属 阵列 结构 倒装 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
1、一种带金属凸点阵列结构的倒装发光二极管的制作方法,包括提供一散热基板和具有p、n电极的LED芯片,所述方法包括:步骤一,在所述LED芯片的所述p电极和n电极上形成金属凸点阵列;步骤二,在所述散热基板上分别形成电气绝缘的p电极金属层和n电极金属层;步骤三,将所述LED芯片的所述p电极和n电极分别与所述散热基板上的p电极金属层、n电极金属层对应并通过所述金属凸点阵列进行键合,并对相接触的所述金属凸点阵列加压、加超声、加热。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰明芯科技有限公司,未经杭州士兰明芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610023463.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top