[发明专利]使用所选掩模的双大马士革铜工艺

摘要

一种用于在仅使用一个光刻和掩蔽步骤时产生双大马士革结构的方法。常规的双大马士革结构利用两个光刻步骤：一个用来掩蔽和曝光通路，而第二步骤用来掩蔽和曝光沟槽互连。该用于产生双大马士革结构的新颖方法允许较小数量的处理步骤，因此减小了用于完成该双大马士革结构的处理时间。另外，可以需要较低数量的掩模。在工艺中使用的示例性掩模或掩模版结合了具有不同透射率的不同区。在曝光步骤期间，来自曝光源的光通过掩模以曝光位于晶片顶部的光刻胶层部分。取决于不同区的透射率，光刻胶层的不同厚度被曝光并且随后通过显影液去除，这允许随后的蚀刻工艺去除电介质层以及光刻胶层两者的部分而产生双大马士革结构。

主权项

1.一种制造集成电路器件的方法，包括：提供具有表面区的半导体基板，该表面区包括覆盖该半导体基板的一个或者多个层；形成覆盖所述表面区的铜层；形成覆盖所述铜层的电介质层；形成覆盖所述电介质层的光刻胶层；将掩模版与对准特征对准，该掩模版包括第一和第二区，掩模版的第一区具有第一光透射率并且掩模版的第二区具有低于该第一透射率的第二光透射率；使用所述掩模版来曝光光刻胶材料，光刻胶层的第一部分通过该掩模版的第一区来曝光以及光刻胶层的第二部分通过该掩模版的第二区来曝光；显影所述光刻胶层，从而使光刻胶层的第一部分被去除，以及光刻胶层的第二部分的一厚度被形成；以及通过使用单个蚀刻步骤，使用蚀刻工艺在电介质层中产生通路开口和沟槽开口。