[发明专利]高压SensorFET器件无效
| 申请号： | 200610021845.4 | 申请日： | 2006-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1937257A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;易坤;王小松;王一鸣;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 高压SensorFET器件，属于半导体功率器件技术、功率器件传感技术和功率集成电路技术领域。包括具有横向JFET结构和纵向JFET结构的高压SensorFET器件。具有横向JFET结构的功率SensorFET器件是通过p(或n)栅区2和p(或n)衬底6之间夹n(或p)阱(或外延层)8形成JFET沟道，并利用RESURF原理提高器件击穿电压。具有纵向JFET结构的功率SensorFET器件是通过不同的p(或n)栅区2之间夹n(或p)阱(或外延层)8以及p(或n)栅区2和p(或n)衬底6之间夹n(或p)阱(或外延层)8形成JFET沟道，并利用RESURF原理提高器件的击穿电压。本发明在满足高耐压的同时具有良好的JFET的IV特性，具有电流采样以及为低压集成电路提供充电电流功能，且易于集成。可应用于电源管理、马达驱动和功率控制等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 sensorfet 器件 | ||
【主权项】：
1、一种具有横向JFET结构的高压SensorFET器件，包括n+(或p+)源区(5)、n+(或p+)漏区(7)、p(或n)栅区(2)、n(或p)阱(8)和p(或n)衬底(6)；其特征在于，p(或n)栅区(2)位于n+(或p+)源区(5)和n+(或p+)漏区(7)之间的n(或p)阱(8)中；通过p(或n)栅区(2)和p(或n)衬底(6)之间夹n(或p)阱(8)形成JFET沟道，以此来提供JFET的IV特性；由p(或n)栅区(2)和n(或p)阱(8)构成一个横向二极管，由p(或n)衬底(6)和n(或p)阱(8)构成一个纵向二极管，所述横向二极管和纵向二极管构成RESURF结构，以此来提高器件的击穿电压。
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